IPSP為什么是局部電位 生化檢驗中的acp是什么意思
抑制性突觸的問題，抑制性突觸后電位的特點，什么是IPSP和EPSP？EPSP 和IPSP在生理學中分別代表什么意思？EPSP和IPSP在生理學中分別代表什么意思？何為EPSP IPSP 是如何產(chǎn)生的？
本文導航
抑制性突觸后電位的描述
他們前面都給你解釋了抑制性突觸后電位,我來說說動作電位和突觸.
動作電位指的是處于靜息電位狀態(tài)的細胞膜受到適當刺激而產(chǎn)生的,短暫而有特殊波形的,跨膜電位搏動.細胞產(chǎn)生動作電位的能力稱為興奮性,有這種能力的細胞如神經(jīng)細胞和肌細胞.動作電位是實現(xiàn)神經(jīng)傳導和肌肉收縮的生理基礎(chǔ).
動作電位的形成于細胞膜上的離子通道開關(guān)相聯(lián)系.一個初始刺激,只要達到了閾電位(而不論超過了多少,這就是全或無定理)就能引起一系列離子信道的開放和關(guān)閉,而形成離子的流動,改變跨膜電位.而這個跨膜電位的改變尤能引起臨近位置上細胞膜電位的改變,這就使得興奮能沿著一定的路徑傳導下去.
http://www.wiki.cn/wiki/%E5%8A%A8%E4%BD%9C%E7%94%B5%E4%BD%8D
突觸
神經(jīng)元與神經(jīng)元之間，或神經(jīng)元與非神經(jīng)細胞（肌細胞、腺細胞等）之間的一種特化的細胞連接，稱為突觸（synapse）。它是神經(jīng)元之間的聯(lián)系和進行生理活動的關(guān)鍵性結(jié)構(gòu)。突觸可分兩類，即化學性突觸（chemical synapse）和電突觸（electrical synapsse）。通常所說的突觸是指前者而言。
（一）化學性突觸
光鏡下，多數(shù)突觸的形態(tài)是軸突終未呈球狀或環(huán)狀膨大,附在另一個神經(jīng)元的胞體或樹突表面，其膨大部分稱為突觸小體（synaptic corpuscle）或突觸結(jié)（synaptic bouton）。
根據(jù)兩個神經(jīng)元之間所形成的突觸部位，則有不同的類型，最多的為軸-體突觸（axo-somatic synapse）和軸-樹突觸（axo-axonal synapse）此外還有軸-棘突觸（axo-spinous），軸-軸突觸（axo-axonal synapse）和樹-樹突觸（dendroden-driticsynapse）等等。通常一個神經(jīng)元有許多突觸，可接受多個神經(jīng)元傳來的信息，如脊髓前角運動神經(jīng)元有2000個以上的突觸。大腦皮質(zhì)錐體細胞約有30000個突觸。小腦浦肯野細胞可多達200 000個突觸，突觸在神經(jīng)元的胞體和樹突基部分布最密，樹突尖部和軸突起始段最少。
電鏡下，突觸由三部分組成:突觸前部、突觸間隙和突觸后部。突觸前部和突觸后部相對應的細胞膜較其余部位略增厚,分別稱為突觸前膜和突觸后膜，兩膜之間的狹窄間隙稱為突觸間隙。
1.突觸前部（presynaptic element）神經(jīng)元軸突終末呈球狀膨大,軸膜增厚形成突觸前膜（presynaptic membrane）,
突觸
突觸
厚約6～7nm。在突觸前膜部位的胞漿內(nèi),含有許多突觸小泡（synaptic vesicle）以及一些微絲和微管、線粒體和滑面內(nèi)質(zhì)網(wǎng)等。突觸小泡是突觸前部的特征性結(jié)構(gòu),小泡內(nèi)含有化學物質(zhì),稱為神經(jīng)遞質(zhì)（neurotransmitter）。各種突觸內(nèi)的突觸小泡形狀和大小頗不一致，是因其所含神經(jīng)遞質(zhì)不同。常見突觸小泡類型有:①球形小泡（spherical vesicle）,直徑約20～60nm,小泡清亮,其中含有興奮性神經(jīng)遞質(zhì),如乙酰膽堿；②顆粒小泡（granular vesicle）,小泡內(nèi)含有電子密度高的致密顆粒,按其顆粒大小又可分為兩種:小顆粒小泡直徑約30～60nm,通常含胺類神經(jīng)遞質(zhì)如腎上腺素、去甲腎上腺素等；大顆粒小泡直徑可達80～200nm，所含的神經(jīng)遞質(zhì)為5-羥色胺或腦啡肽等肽類；③扁平小泡（flat vesicle）,小泡長徑約50nm，呈扁平圓形,其中含有抑制性神經(jīng)遞質(zhì),如γ-氨基丁酸等。
http://des.cmu.edu.cn/jiaoxue/kecheng/zupei/zzx/zl/shenjing/tuchu1.htm
突觸后膜抑制電位會變化嗎
（1）突觸前膜釋放遞質(zhì)是Cl-內(nèi)流引發(fā)的；（2）遞質(zhì)是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；（3）IPSP是局部電位，而不是動作電位；（4）IPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關(guān)。
ipsec參數(shù)怎么看
IPSP：突觸前膜釋放抑制性遞質(zhì)（抑制性中間神經(jīng)元釋放的遞質(zhì)），導致突觸后膜主要對Cl-通透性增加，Cl-內(nèi)流產(chǎn)生局部超極化電位。
EPSP：興奮性突觸后電位，英文名：excitatory postsynaptic potential簡稱EPSP。是指由興奮性突觸的活動，在突觸后神經(jīng)元中所產(chǎn)生的去極化性質(zhì)的膜電位變化。
擴展資料：
IPSP特點：
（1）突觸前膜釋放遞質(zhì)是Ca2+內(nèi)流引發(fā)的；
（2）遞質(zhì)是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；
（3）IPSP是局部電位，而不是動作電位；
（4）IPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關(guān)。
參考資料來源：百度百科-EPSP
參考資料來源：百度百科-IPSP
生化檢驗中的acp是什么意思
1、EPSP是指興奮性突觸后電位，英文名：excitatory postsynaptic potential簡稱EPSP。是指由興奮性突觸的活動，在突觸后神經(jīng)元中所產(chǎn)生的去極化性質(zhì)的膜電位變化。
機制：
某種興奮性遞質(zhì)作用于突觸后膜上的受體時，導致后膜上的Na?或Ca2?通道開放，產(chǎn)生Na?或Ca2?內(nèi)向電流，使局部膜發(fā)生去極化的結(jié)果。
2、IPSP是突觸前膜釋放抑制性遞質(zhì)，導致突觸后膜主要對Cl?通透性增加，Cl?內(nèi)流產(chǎn)生局部超極化電位。
擴展資料：
1、EPSP特點：
（1）突觸前膜釋放遞質(zhì)是Ca2+內(nèi)流引發(fā)的；
（2）遞質(zhì)是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；
（3）EPSP是局部電位，而不是動作電位；
（4）EPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關(guān)。
2、IPSP特點：
（1）突觸前膜釋放遞質(zhì)是Ca2+內(nèi)流引發(fā)的；
（2）遞質(zhì)是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；
（3）IPSP是局部電位，而不是動作電位；
（4）IPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關(guān)。
參考資料來源：百度百科-EPSP
參考資料來源：百度百科-IPSP
mhspc在醫(yī)學上什么意思
1、EPSP是指興奮性突觸后電位，英文名：excitatory postsynaptic potential簡稱EPSP。是指由興奮性突觸的活動，在突觸后神經(jīng)元中所產(chǎn)生的去極化性質(zhì)的膜電位變化。
機制：
某種興奮性遞質(zhì)作用于突觸后膜上的受體時，導致后膜上的Na?或Ca2?通道開放，產(chǎn)生Na?或Ca2?內(nèi)向電流，使局部膜發(fā)生去極化的結(jié)果。
2、IPSP是突觸前膜釋放抑制性遞質(zhì)，導致突觸后膜主要對Cl?通透性增加，Cl?內(nèi)流產(chǎn)生局部超極化電位。
擴展資料：
1、EPSP特點：
（1）突觸前膜釋放遞質(zhì)是Ca2+內(nèi)流引發(fā)的；
（2）遞質(zhì)是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；
（3）EPSP是局部電位，而不是動作電位；
（4）EPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關(guān)。
2、IPSP特點：
（1）突觸前膜釋放遞質(zhì)是Ca2+內(nèi)流引發(fā)的；
（2）遞質(zhì)是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；
（3）IPSP是局部電位，而不是動作電位；
（4）IPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關(guān)。
參考資料來源：百度百科-EPSP
參考資料來源：百度百科-IPSP
ipsec的作用是什么
EPSP是烯醇丙酮酸磷酸莽草酸，EPSP的形成是興奮性遞質(zhì)，使某些離子通道開放，后膜對Na+和K+的通透性增大，且鈉離子內(nèi)流大于鉀離子外流，故發(fā)生凈內(nèi)向電流。
ipsp（inhibitory post-synaptic potential；抑制性突觸后電位）指的是突觸前膜釋放抑制性遞質(zhì)（抑制性中間神經(jīng)元釋放的遞質(zhì)），導致突觸后膜主要對Cl-通透性增加，Cl-內(nèi)流產(chǎn)生局部超極化電位。
EPSP和ipsp的特點：
EPSP持續(xù)10ms左右，能總和。EPSP由Na+與K+通過統(tǒng)一通道同時移動形成，形成EPSP的粒子流可能還包括Cl-的內(nèi)流。當EPSP達到閾電位水平時則爆發(fā)峰電位。
在抑制性遞質(zhì)作用下，后膜產(chǎn)生超極化電位，成為抑制性突觸后電位(IPSP)。IPSP持續(xù)約10ms，能總和。由于抑制性遞質(zhì)突觸后膜對Cl-、K+通透性增加，致使Cl-內(nèi)流和(或)K+外流而產(chǎn)生IPSP。
以上內(nèi)容參考：
百度百科-EPSP （烯醇丙酮酸磷酸莽草酸）
百度百科-ipsp
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